三星3nmGAA工艺良率仍远低于目标

据韩国商业邮报报道，三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率，该良率刚刚达到10%到20%之间。三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意，仅为30-35%。

市场人士认为，三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用。但消息人士称，三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产。

消息人士指出，台积电在转向GAA晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电最有可能拥有基于GAA的2nm，目标是在2025年投产。

三星此前透露，计划在2022年上半年开始生产其客户的第一款基于3nm(3GAE)的芯片设计，并使其第二代3nm工艺(3GAP)准备在2023年投入生产。

但3月初三星因为先进工艺的低良率问题备受关注，有传闻称三星的3nm芯片的良率只有35%，这些负面消息也导致一些大客户出走，在3nm节点将转向台积电。而三星不但失去了高通剩余的4nm订单，而且高通已将骁龙8Gen1Plus的订单转给了台积电。

台积电今年8月3nm量产有望

台积电重申其有望在2022年下半年将3nm工艺技术投入量产。该代工厂还计划在2023年下半年将N3的增强版N3E投入量产。台积电的3nm工艺利用FinFET晶体管的结构。

《联合报》报道，台积电决定如期在2022年推动3nm芯片量产，目前台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

台积电决定今年率先量产第二版3nm制程N3B，将于今年8月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片。分析师表示，第一批客户包括苹果和英特尔公司。

台积电的3nm技术(N3)将是5nm技术(N5)后的又一全节点技术，并在推出时提供PPA和晶体管技术中最先进的代工技术。与N5技术相比，N3技术将提供高达70%的逻辑密度增益、高达15%的速度提升以及相同的速度和高达30%的功耗降低。N3技术开发进展顺利。N3技术将为移动和HPC应用程序提供完整的平台支持。

英特尔3nm报喜

到2022年底，英特尔应该会增加他们的4nm节点，然后在2023年他们的3nm节点应该会增加，到2024年他们的20A（2nm）和18A（1.8nm）节点应该会增加。所有这些都是基于EUV的节点，到2024年底英特尔将很少使用基于非EUV的微处理器生产工艺。英特尔也正在建设基于EUV的生产工厂。

到2024年，预计英特尔的20A2nm芯片将发布，该芯片将采用该公司专有的HNS，称为RibbonFET。它还将具有一种称为PowerVia的背板供电形式，以帮助更轻松地为芯片供电。接下来是18A的发布，之后我们将看到EUV技术的进一步改进，用于制作更小的打印件。所有这些都应该有助于提供更好的每瓦性能，这也是英特尔使用这些新芯片的主要目标之一。